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长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电阻
A、4.1Ω
B、8.68Ω
C、2.73Ω
D、5.78Ω
喵查答案：4.1Ω
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长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,再掺入施主后，假设迁移率不受影响，求室温时样品的电导率
A、24.32
B、11.52
C、36.48
D、17.28
喵查答案：24.32
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长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,试求室温时样品的电阻
A、34.72Ω
B、16.44Ω
C、24.5Ω
D、3.33Ω
喵查答案：34.72Ω
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长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品，截面线度分别为1mm和 2mm，掺有受主，锗中的电子迁移率为，空穴迁移率为,试求室温时样品的电导率
A、2.88
B、
C、6.08
D、4.8
喵查答案：2.88
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A、砷化镓最高工作温度可达450℃
B、锗的工作温度最高
C、硅的工作温度最高
D、硅是由于器件工作温度高才得到广泛地应用
喵查答案：砷化镓最高工作温度可达450℃
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A、费米能级位于禁带中央
B、服从费米分布的半导体一般是简并半导体
C、费米能级进入导带或者价带一般是简并半导体
D、弱简并半导体的费米能级十分接近导带底或者价带顶
喵查答案：费米能级位于禁带中央
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A、在E-EF大于几个k0T时，费米分布可以近似成玻尔兹曼分布
B、玻尔兹曼分布针对的粒子是需要考虑自旋方向的
C、玻尔兹曼分布针对的粒子满足泡利不相容原理
D、玻尔兹曼分布和费米分布没什么区别，可以替代使用
喵查答案：在E-EF大于几个k0T时，费米分布可以近似成玻尔兹曼分布
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A、载流子浓度的乘积受温度和禁带宽度的影响
B、载流子浓度的乘积与费米能级距导带底的距离有关
C、载流子浓度的乘积与费米能级距价带顶的距离有关
D、半导体是本征半导还是杂质半导体，影响载流子浓度的乘积
喵查答案：载流子浓度的乘积受温度和禁带宽度的影响
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A、费米能级一定位于禁带中
B、本征半导体的费米能级接近禁带中线处
C、n型半导体的费米能级在禁带中线上方，靠近导带底
D、p型半导体的费米能级在禁带中线下方，靠近价带顶
喵查答案：费米能级一定位于禁带中
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A、抛物线型关系
B、指数关系
C、幂函数关系
D、线性关系
喵查答案：抛物线型关系
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A、施主杂质一定是浅能级杂质
B、施主杂质可以为半导体提供导电电子
C、磷，砷在硅中可以成为施主杂质
D、施主杂质在禁带中会引入施主能级
喵查答案：施主杂质一定是浅能级杂质
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A、半导体中几乎不含有载流子，说明半导体是高纯半导体
B、施主杂质浓度远高于受主杂质浓度，半导体表现为n型半导体
C、受主杂质浓度远高于施主杂质浓度，半导体表现为p型半导体
D、利用杂质补偿，可以制作pn结，三级管等半导体器件
喵查答案：半导体中几乎不含有载流子，说明半导体是高纯半导体
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A、金可以引入三个施主能级和一个受主能级
B、金核外有一个电子，能形成一个施主能级
C、金可以接收多个电子，形成多个受主能级
D、金在禁带中形成的都是深能级，是有效的复合中心
喵查答案：金可以引入三个施主能级和一个受主能级
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A、Ⅲ
B、Ⅱ
C、Ⅳ
D、Ⅵ
喵查答案：Ⅲ
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A、棱位错
B、空位
C、间隙原子
D、替位原子
喵查答案：棱位错
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