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在图题1.8所示电路中，已知稳压管DZ的稳定电压，最小稳压电流，额定功率，二极管D的正向压降。限流电阻R的最大值为（ ）。 图题1.8
A、100
B、200
C、300
D、400
喵查答案：200
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A、线性器件
B、非线性器件
C、阻值小
D、阻值大
喵查答案：非线性器件
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A、单向导电性
B、反向击穿特性
C、电容效应
D、温度特性
喵查答案：电容效应
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A、直流电阻大于交流电阻
B、直流电阻小于交流电阻
C、直流电阻等于交流电阻
D、不能确定
喵查答案：直流电阻大于交流电阻
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A、小于2mA
B、等于2mA
C、大于2mA
D、不变
喵查答案：等于2mA
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A、伏安特性
B、温度特性
C、单向导电性
D、反向击穿特性
喵查答案：单向导电性
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A、正向导通区
B、反向截止区
C、反向击穿区
D、放大区
喵查答案：反向截止区
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A、PN结正向导通时
B、PN结反向截止但没有击穿时
C、PN结反向击穿时
D、不能确定
喵查答案：PN结反向击穿时
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A、导通
B、截止
C、反向击穿
D、烧毁
喵查答案：烧毁
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A、N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄
B、P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄
C、N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布
D、P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
喵查答案：N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平……继续阅读 »
A、PN结正向导通时具有负的温度系数
B、PN结反向截止时具有负的温度系数
C、PN结反向击穿时具有负的温度系数
D、PN结具有温度敏感性的原因是由于多子参与导电
喵查答案：PN结正向导通时具有负的温度系数
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A、二极管的交流电阻是一个固定不变的常数
B、二极管的直流电阻是一个固定不变的常数
C、二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小
D、二极管的静态电流越大，它的交流电阻越大
喵查答案：二极管的静态电流越大，它的交流电阻越小
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A、二极管的雪崩击穿发生在掺杂浓度较大的PN结
B、二极管的齐纳击穿发生在掺杂浓度较小的PN结
C、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于热击穿
D、二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
喵查答案：二极管的雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
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A、二极管的势垒电容是指PN结反偏时，杂质正负离子区域形成的电容效应
B、二极管的扩散电容是指PN结正偏时，非平衡少子在P区和N区形成的电容效应
C、二极管在低频区工作时，可以忽略它的电容效应
D、二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
喵查答案：二极管在高频区工作时，可以忽略它的电容效应
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A、激发和复合是两个相反的物理过程
B、杂质半导体中有两种不同的激发形式，即本征激发和掺杂激发，其中掺杂激发是主要的激发形式
C、杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
D、N型半导体中杂质正离子是因为失去一个多余的电子而形成的
喵查答案：杂质半导体中只有掺杂激发过程，本征激发只发生在本征半导体中
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