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长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有受主,锗中的电子迁移率为,空穴迁移率为,再掺入施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻

长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有受主,锗中的电子迁移率为,空穴迁移率为,再掺入施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻受主,锗中的电子迁移率为长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有受主,锗中的电子迁移率为,空穴迁移率为,再掺入施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻,空穴迁移率为长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有受主,锗中的电子迁移率为,空穴迁移率为,再掺入施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻,再掺入长为2 cm的具有矩形截面的 Ge样品,截面线度分别为1mm和 2mm,掺有受主,锗中的电子迁移率为,空穴迁移率为,再掺入施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻施主后,假设迁移率不受影响,求室温时样品的电阻
A、4.1Ω
B、8.68Ω
C、2.73Ω
D、5.78Ω
喵查答案:4.1Ω

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